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珠海市佳一陶瓷有限公司

主營:陶瓷絕緣片,陶瓷電路板,陶瓷球。
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[供應]供應高溫陶瓷管
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  • 產品產地:廣東
  • 產品品牌:jy
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  • 產品單價:0
  • 更新日期:2022-02-09 12:30:38
  • 有效期至:2022-03-12
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供應高溫陶瓷管 詳細信息

銷售高溫陶瓷電路板、陶瓷線路板、12層以下陶瓷電路板、珠海市佳一陶瓷有限公司是生產和40層以內低溫共燒陶瓷電路板、剛性線路板、大功率模塊;陶瓷絕緣片、各種陶瓷配件、高溫陶瓷材料、96%氧化鋁基板、陶瓷球、碳化硅球、氧化鋯球、氮化硅球、氧化鋁球、陶瓷加熱器、激光打印機加熱片和加熱條、陶瓷臭氧片、陶瓷絕緣紙、各種規(guī)格陶瓷片、各種規(guī)格陶瓷管;

是生產和銷售陶瓷釕系電阻,電路,高精度陶瓷球,陶瓷管,陶瓷板,微孔陶瓷件,足浴陶瓷加熱板,MCH氧化鋁陶瓷發(fā)熱片,直發(fā)器用加熱板,高溫絕緣套管,電位器用瓷片,氮化鋁陶瓷瓷片,片式電阻用陶瓷板,厚膜電路用陶瓷板,陶瓷片,硬質合金球,碳化硅(SIC)軸承球,高溫陶瓷隔熱絕緣紙等產品廠商,

公司擁有陶瓷生產線和陶瓷電路生產線,既能生產工業(yè)陶瓷配件,也能生產陶瓷電路。是一家生產和銷售“陶瓷配件”型的專業(yè)廠家。

我司高溫陶瓷管產品陶瓷熱性方面有優(yōu)良的特性,可根溫度要求據配制相對應溫度的陶瓷管,最高使用溫度可達2500攝氏度??蓮?攝氏度的水中,在1秒鐘內放入1400攝氏度的水中,來回無數次不開裂。

捷普網介:

高溫

DCB是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(AL2Q3)或氮化鋁(ALN)陶瓷基片表面(  單面或雙面)上的特殊工藝方法。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度,并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形,具有很大的載流能力。因此,DCB基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料,也是本世紀封裝技術發(fā)展方向“chip-on-board”技術的基礎。

DCB技術的優(yōu)越性  :實現金屬和陶瓷鍵合的方法有多種,在工業(yè)上廣泛應用的有效合金化方法是厚膜法及鉬錳法。厚膜法是將貴重金屬的細粒通過壓接在一起而組成,再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上,因此厚膜的導電性能比金屬銅差。鉬錳法雖使金屬層具有相對高的電導,但金屬層的厚度往往很薄,小于25μm,這就限制了大功率模塊組件的耐浪涌能力。因此必須有一種金屬陶瓷鍵合的新方法來提高金屬層的導電性能和承受大電流的能力,減小金屬層與陶瓷間的接觸熱阻,且工藝不復雜。銅與陶瓷直接鍵合技術解決了以上問題,并為電力電子器件的發(fā)展開創(chuàng)了新趨勢。

1、  DCB應用

●  大功率電力半導體模塊;半導體致冷器、電子加熱器;功率控制電路,功率混合電路;

●  智能功率組件;高頻開關電源,固態(tài)繼電器;

●  汽車電子,航天航空及軍用電子組件;

●  太陽能電池板組件;電訊專用交換機,接收系統(tǒng);激光等工業(yè)電子。

2、DCB特點

●  機械應力強,形狀穩(wěn)定;高強度、高導熱率、高絕緣性;結合力強,防腐蝕;

●  極好的熱循環(huán)性能,循環(huán)次數達5萬次,可靠性高;

●  與PCB板(或IMS基片)一樣可刻蝕出各種圖形的結構;無污染、無公害;

●  使用溫度寬-55℃~850℃;熱膨脹系數接近硅,簡化功率模塊的生產工藝。

3、使用DCB優(yōu)越性

●  DCB的熱膨脹系數接近硅芯片,可節(jié)省過渡層Mo片,省工、節(jié)材、降低成本;

●  減少焊層,降低熱阻,減少空洞,提高成品率;

●  在相同載流量下  0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板的10%;

●  優(yōu)良的導熱性,使芯片的封裝非常緊湊,從而使功率密度大大提高,改善系統(tǒng)和裝置的可靠性;

●  超薄型(0.25mm)DCB板可替代BeO,無環(huán)保毒性問題;

●  載流量大,100A電流連續(xù)通過1mm寬0.3mm厚銅體,溫升約17℃;100A電流連續(xù)通過2mm寬0.3mm厚銅體,溫升僅5℃左右;

●  熱阻低,10×10mmDCB板的熱阻:

0.63mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.31K/W

0.38mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.19K/W

0.25mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.14K/W

●  絕緣耐壓高,保障人身安全和設備的防護能力;

●  可以實現新的封裝和組裝方法,使產品高度集成,體積縮小。

4、陶瓷覆銅板DCB技術參數

參數名稱

技術參數

材料名稱:

    AL2O3(≥96%)

最大規(guī)格    mm×mm

138×178  或138×188

瓷片厚度    mm

0.25,    0.38,    0.5,0.63±0.07(標準),  0.76,1.0

熱導率  W/m.K

24~28

瓷片介電強度    KV/mm

>14

瓷片介質損耗因數

≤3×10-4(25℃/1MHZ)

瓷片介電常數

9.4(25℃/1MHZ

銅箔厚度(mm)

0.1~0.6        0.3±0.015(標準)

銅箔熱導率  W/m.K

385

表面鍍鎳層厚度    μm

1~7

表面粗糙度  μm

Rp≤7,  Rt≤30,  Ra≤3

平凹深度&nbs

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